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(IGBT) 1984 Maßgeblich von den Firmen Harris und Siemens entwickelter MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation. Kombiniert die Vorteile von MOSFET und Bipolartransistor. Zeichnet sich durch sehr geringen Ein-Widerstand aus und eignet sich daher besonders für den Einsatz als Leistungsschalter.
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https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=I&id=15422&page=1
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